GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
作者:标准资料网 时间:2024-05-11 05:54:07 浏览:9355
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基本信息
| 标准名称： | 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 |
| 英文名称： | Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： | |
| 替代情况： | 替代GB 6616-1986;被GB/T 6616-2009代替 |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1995-04-18 |
| 实施日期： | 1995-01-02 |
| 首发日期： | 1986-07-26 |
| 作废日期： | 2010-06-01 |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 电子部标准化所 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 平装16开， 页数：7， 字数：9千字 |
适用范围
本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法
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